等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積-制取方法
在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是：在化學(xué)氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體，增強(qiáng)反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，從而進(jìn)行外延的一種方法。 [1] 該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上，通入反應(yīng)氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產(chǎn)生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應(yīng)氣體得到活化，同時(shí)基體表面產(chǎn)生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學(xué)反應(yīng)，還存在著復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng)。沉積膜就是在這兩種化學(xué)反應(yīng)的共同作用下形成的。激發(fā)輝光放電的方法主要有：射頻激發(fā)，直流高壓激發(fā)，脈沖激發(fā)和微波激發(fā)。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積-優(yōu)點(diǎn)
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的主要優(yōu)點(diǎn)是沉積溫度低，對(duì)基體的結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)影響?。荒さ暮穸燃俺煞志鶆蛐院茫荒そM織致密、針孔少；膜層的附著力強(qiáng)；應(yīng)用范圍廣，可制備各種金屬膜、無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜。

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